權利要求書： 1.一種提供結晶固體電解質層(111)的方法，其特征在于，所述方法包括：?提供具有處于主體基板(100)的一個表面上的結晶固體電解質層的主體基板(100)，?將所述結晶固體電解質層從所述主體基板(100)轉移到受體基板(203)，其中，層轉移技術(S11)包括將所述主體基板(100)與受體基板(203)組裝的步驟(S2)和將主體基板(100)薄化的步驟(S3)，在所述組裝步驟(S2)中所述結晶固體電解質層位于所述主體基板(100)與所述受體基板(203)之間，其中，所述薄化步驟(S3)包括：在所述主體基板中形成弱化區(320)從而限定出所述主體基板中包含要轉移的層的部分的步驟(S4)，和將所述弱化區(320)分離從而將所述部分轉移到所述受體基板的步驟(S5)，并且其中，所述弱化區(320)包含所述主體基板(100)中的釋放層(330)，所述釋放層在分離步驟(S5)期間被活化從而發生分離。
2.如權利要求1所述的提供結晶固體電解質層(111)的方法，其特征在于，所述主體基板(100)包括結晶固體電解質材料的本體基板(101)、或設置在支持基板(102)上的結晶固體電解質供體層(110)。
3.如權利要求2所述的提供結晶固體電解質層(111)的方法，其特征在于，通過沉積技術將所述結晶固體電解質供體層(110)設置在所述支持基板(102)上。
4.如權利要求2所述的提供結晶固體電解質層(111)的方法，其特征在于，通過化學氣相沉積將所述結晶固體電解質供體層(110)設置在所述支持基板(102)上。
5.如權利要求1所述的提供結晶固體電解質層(111)的方法，其中，所述分離步驟(S5)通過至少一種以下方式實施：退火，施加熱應力，施加機械應力，應用照射手段，以及蝕刻。
6.如權利要求5所述的提供結晶固體電解質層(111)的方法，其中，所述分離步驟(S5)通過應用激光束實施。
7.如權利要求1至6中任一項所述的提供結晶固體電解質層(111)的方法，其中，所述結晶固體電解質材料的離子電導率大于0.01S/cm。
8.如權利要求1至6中任一項所述的提供結晶固體電解質層(111)的方法，其中，所述結晶固體電解質材料的對于氫離子、氧離子、鋰離子或鈉離子的離子電導率大于0.01S/cm。
9.如權利要求1
聲明：
“高級固體電解質和制造方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業用途，請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)
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編輯：中冶有色網
來源：索泰克公司
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2025年07月23日 ~ 26日 
