權利要求
1.一種單晶硅金剛線切割廢料制備納米硅粉方法，其特征在于，包括以下步驟：
S1：將單晶硅金剛線切割廢料溶于無水乙醇中，配置成懸浮液，將懸浮液經過雙動力臥式砂磨系統進行多級循環砂磨處理，得到漿料，其中，在砂磨前與砂磨過程中分別加入分散劑;
S2：向S1中砂磨所得的漿料中加入分散劑，并進行噴霧干燥處理，以獲得干燥的硅粉;
S3：將硅粉進行粉碎解聚處理，再進行磁選分離去除硅表面的金屬，得到納米硅粉。
2.根據權利要求1所述的一種單晶硅金剛線切割廢料制備納米硅粉方法，其特征在于，所述S1中單晶硅金剛線切割廢料與無水乙醇的質量比1:1~1:10。
3.根據權利要求1所述的一種單晶硅金剛線切割廢料制備納米硅粉方法，其特征在于，所述S1中的雙動力臥式砂磨系統是由研磨物料動力系統與分離物料動力系統組成的一體單罐式砂磨系統，具體為在研磨罐中先研磨單晶硅金剛線切割廢料，再在研磨罐中進行離心分離廢料和研磨介質，其中，多級循環砂磨均在同一罐中進行砂磨。
4.根據權利要求1所述的一種單晶硅金剛線切割廢料制備納米硅粉方法，其特征在于，所述S1中多級循環砂磨為三級循環砂磨，每級循環砂磨的研磨介質為0.1-1 mm的氧化鋯珠，砂磨轉數為1000~1350 rpm，一級砂磨時間為3~7.5 h，二級砂磨時間為7~15 h，三級砂磨時間為10~15 h。
5.根據權利要求1所述的一種單晶硅金剛線切割廢料制備納米硅粉方法，其特征在于，所述S2中噴霧干燥進口溫度為180-220℃，出口溫度為80-100℃。
6.根據權利要求1所述的一種單晶硅金剛線切割廢料制備納米硅粉方法，其特征在于，所述S3中將硅粉進行粉碎解聚處理，具體為將團聚硅粉進行打散還原至納米粒度，解聚設備為氣流粉碎機;所述硅表面的金屬包括Fe、Ni、Ca、Al、Zn，磁選設備為干法磁分離機。
7.根據權利要求1所述的一種單晶硅金剛線切割廢料制備納米硅粉方法，其特征在于，所述S1與S2中的分散劑為十六烷基三甲基溴化銨、六偏磷酸鈉、聚乙烯吡絡烷酮、三乙醇胺、聚乙二醇2000、羧甲基纖維素鈉、焦磷酸鈉、檸檬酸鈉、十二烷基苯磺酸鈉、聚醚多元醇中的一種或多種混合。
8.根據權利要求1所述的一種
聲明：
“單晶硅金剛線切割廢料制備納米硅粉方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業用途，請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)
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編輯：中冶有色網
來源：深圳光風新能源科技創新中心有限公司
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2025年07月23日 ~ 26日 
