本發明提供了一種非平衡態硫族化合物、薄膜及其制備方法,屬于記憶體芯片材料技術領域。該非平衡態硫族化合物的化學分子式通式為XY4,其中Y元素為元素周期表中高揮發性的硫族元素。將X元素和Y元素通過真空熔煉和熱壓燒結而形成非平衡態化合物。此外,還可以通過等離子濺射將該非平衡態硫族化合物制作為薄膜,該薄膜可以作為新一代記憶體芯片的開關元件的關鍵材料,具有優秀的電學性能和穩定性。
聲明:
“非平衡態硫族化合物、薄膜及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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