本發明公開了磁控濺射法制備TiCoSb半導體薄膜,涉及無機化合物功能薄膜制備技術領域及磁控濺射技術領域。其特征在于是通過一種特殊設計的復合靶材,利用普通磁控濺射及后退火處理得到成分分布均勻的、符合化學計量比的多元素化合物TiCoSb薄膜。其主要工藝參數為:濺射功率20W,工作氣壓0.7Pa,濺射時間60-120min,快速退火時間1-5min,常規退火時間30-120min。本發明實現了TiCoSb材料的薄膜化,為對其熱電和光電性能的進一步研究及對其在薄膜熱電、光電器件領域的應用有相當積極的作用。
聲明:
“磁控濺射法制備TiCoSb半導體薄膜” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)