本發明公開了芯片或芯片封裝的結構,具有機械 上去耦但電耦合到芯片上的多層互連的最終鈍化層和端子冶 金。這種去耦使芯片可以經受得住在最終鈍化區中的封裝應 力,應變從其中的去耦區和柔順的引線消除,因此芯片上的互 連層面不會感受到外部的封裝或其它的應力。這種結構特別適 合于由Cu和低-k的電介質構成的芯片上互連,該低-k的電 介質相對于SiO2具有更差的機 械特性。去耦區在晶片上的所有芯片上延伸。它也可以延伸進 封邊或者切割溝槽區以允許芯片切割和在晶片 上的每個芯片周圍這種機械去耦特性的保持。
聲明:
“用于低-K的互連結構的柔順的鈍化邊緣密封” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)