本發明公開了一種真空燒結制備碳化硅納米線的方法,包括以下步驟:步驟(1):先將Si和SiO2混合,得到硅類混合物,然后將硅類混合物與石墨烯混合,得到混合原料;步驟(2):將混合原料放入到高溫真空燒結爐中,先將高溫真空燒結爐內部抽真空,然后對高溫真空燒結爐中充入氬氣,再將高溫真空燒結爐內部抽真空,將抽真空、充氬氣、再抽真空這個過程重復至少1次;步驟(3):對高溫真空燒結爐中真空狀態下的混合原料進行燒結,先在2.5小時內從室溫加熱至1400?1500度,然后保溫2小時,最后在2.5小時內降溫至室溫,得到真空燒結制備的碳化硅納米線。該方法制備效率高,制備出的碳化硅納米線的線形較好。
聲明:
“真空燒結制備碳化硅納米線的方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)