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    鋁基碳化硅高密度封裝半導體復合材料

    976   編輯:管理員   來源:中冶有色網  
    2023-03-18 14:58:54
    一種鋁基碳化硅高密度封裝半導體復合材料,包含如下步驟:制備SiC復合漿料,首先使用SiC微粉配制得到固含量為30?70%的SiC漿料,然后按照SiC∶Au∶Ag:Pd為(50?60)∶(0.3?0.6)∶1:(0.02?0.05)的質量比加入金粉和銀粉和鈀粉,混合均勻,得到SiC復合漿料;流延成型,對得到的SiC復合漿料除泡混合均勻后,進行流延得到SiC復合流延膜;流延膜素燒,對得到的流延膜進行素燒,得到SiC復合素坯;真空燒結,將SiC符合素坯在真空狀態下燒結,得到鋁基碳化硅。本發明的有益效果:通過采用凝膠流延法制備鋁基氮化鋁,工藝簡單,得到的產品成分分布均勻,氣孔率低,半導體性能優越,且通過引入金、銀和鈀粉,充分改善燒結性能,進一步降低燒結溫度,節能環保。
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