本發明涉及一種二硅化鉬/碳化硅/碳化硼三相強度復合陶瓷的制備方法。該方法使用MoSi2、C及B4C元素粉模壓成型,通過調整真空度并熔滲Si進行燒結,獲得MoSi2/SiC/B4C三相強度復合陶瓷,所得材料孔隙率在10%或以下,強度大于180MPa。該方法補充了現有高溫抗氧化強度材料品種,和現有高溫陶瓷相比,獲得了更高抗氧化性能環境下使用的強度陶瓷品種,工藝優化后可進一步提高利用價值。該法工藝簡單,可規模生產。
聲明:
“二硅化鉬/碳化硅/碳化硼三相強度復合陶瓷的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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