本申請涉及稀土永磁體的技術領域,更具體地說,它涉及一種低邊界相電位差的燒結釹鐵硼磁體及其制備方法。低邊界相電位差的燒結釹鐵硼磁體,由包括以下重量百分比的原料制成:28?33%Nd、1.1?1.2%B、62?67%Fe、0.6?0.8%Gd、0.6?0.8%Dy、0.1?0.15%Co、0.05?0.1%Cu、0.03?0.06%Ga,余量為不可去除的雜質。低邊界相電位差的燒結釹鐵硼磁體的制備方法,包括以步驟:(1)原料準備及預處理、(2)熔煉、(3)氫爆制粉、(4)成型取向、(5)燒結、(6)鍍鋅、(7)鍍膜。本申請的低邊界相電位差的燒結釹鐵硼磁體及其制備方法具有提高燒結釹鐵硼磁體的抗腐蝕性的優點。
聲明:
“低邊界相電位差的燒結釹鐵硼磁體及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)