本發明涉及一種硅片切割廢料回收制備高純硅的方法,屬于硅資源高值化再生利用技術領域。本發明基于硅片切割廢料中高純硅含量高、表面氧化和金屬雜質富集表面的特點,提出硅片切割廢料“真空熔煉精煉?真空定向鑄錠提純”直接制備高純硅的方法,即以新鮮硅片切割廢料為原料,在隔氧或惰性氣體下進行預處理,在真空條件下將硅片切割廢料熔化、扒渣、精煉,再進行硅熔體的真空定向鑄錠提純,得到純度6N級以上的高生硅產品。本發明所得的純度6N級以上的高生硅產品可以直接或者兌摻用于單晶拉制與鑄造單/多晶硅晶體生長,具有設備要求簡單、無需添加劑、流程短、產品附加值高、操作容易、適合規?;I生產的優勢。
聲明:
“硅片切割廢料回收制備高純硅的方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)