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    用于生長硼硅酸鑭晶體的方法

    804   編輯:管理員   來源:中冶有色網  
    2023-03-18 15:09:02
    本發明提供一種用于生長LaBSiO5晶體或激活離子摻雜LaBSiO5晶體的方法,采用熔鹽法制備,熔鹽體系中包括LaBO3、Li2MoO4、SiO2化合物。用x1、x2、x3?分別表示體系中LaBO3、Li2MoO4和SiO2的摩爾百分含量,則這三種化合物的含量比需滿足:0< x1< 0.3, 0.7≤x2< 1, 0< x3< 0.3且x1+x2+x3=1;晶體的生長溫度區間為1000℃?850℃。在制備LaBSiO5晶體時,可向其中摻雜Y3+、Tm3+、Eu3+離子等,這些激活離子替代晶格中的La3+或者B3+離子,從而制備出激活離子摻雜的LaBSiO5晶體。涉及光電子功能材料技術領域。
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