本發明提供了一種可控的外延生長的分級結構的納米復合材料、制備方法及其應用,以納米帶狀的三氧化鉬為前驅體,用硫和硒同時在其表面刻蝕而形成外延生長的分級結構的多孔片狀的MoS2(1?x)Se2x的納米復合材料,且在保證分級結構的完整性的前提下調整硫和硒的比例制備出不同比例的分級結構的MoS2(1?x)Se2x納米復合材料,從而優化材料的電化學性能。與現有技術相比,本發明制備的產物兼容性高且形貌可控,此復合材料具有很好的兼容性,很高的導電性、大比表面積和結構穩定性,生產成本低,重現性好,在儲能方面具有很大潛在的應用價值。
聲明:
“可控的外延生長的分級結構的納米復合材料、制備方法及其應用” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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