本發明公開了一種具有殼核結構的納米硅復合材料的制備方法,直接采用高純度半導體(9N級晶硅)或太陽能級(6N級晶硅)鑄錠的硅棒,通過電弧放電、高溫等離子體氣化、活化處理、溶液接枝途徑強化半導體硅摻雜元素磷或硼的含量,成品轉化率和純度較高,制得的硅納米復合材料由于硅納米球具有核殼結構,不容易發生團聚和氧化,容易保存,制備方法簡單易行,適合規?;a。
聲明:
“殼核結構納米硅復合材料的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)