本發明涉及一種具有SiC?HfB2?Si單層復合涂層的碳/碳復合材料的制備方法,采用料漿浸漬法在碳/碳表面制備樹脂碳?SiC?HfO2?B4C?Si多孔預涂層,隨后氣相滲硅,氣相硅與碳/碳基體反應生成SiC過渡層,有利于提高涂層與基體的結合力。高溫燒結使HfO2、B4C與樹脂碳發生原位反應生成HfB2,有利于規避直接添加HfB2因其本身燒結性差引起的的顆粒分布不均問題。硅在高溫環境下具有良好流動性,最終可協同提高涂層的整體致密性。SiC、HfB2和Si在涂層中形成多相鑲嵌界面,HfB2釘扎在復合涂層中,可誘導涂層中裂紋偏轉,還可緩解裂紋尖端應力。本發明所制備的SiC?HfB2?Si復合抗氧化涂層具有一種新穎的過渡層及致密的鑲嵌結構,與基體結合良好,具有優異的長時抗氧化及抗熱震性能。
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