ZnxCd1-xS納米復合材料的制備方法,在具有溫度梯度的管式爐中,以配備有抽真空裝置的石英管為反應器,將CdS或ZnS放置于反應器中部,反應溫度800-900℃,升溫速率400-600℃/小時;相應的將ZnCl2或CdCl2放置于反應器氬氣流進氣口一端,反應溫度300-700℃;表面鍍金的Si100片放置于氬氣流出氣口一側作為樣品生長的襯底,反應溫度400-650℃;硫化物和氯化物原料的摩爾比為1∶2-2∶1,氬氣吹掃時間0.5-3小時,氬氣流速15-60毫升/分鐘,x為0.2至0.95。本發明工藝簡單、成本低、過程容易控制,無污染,樣品形貌豐富、選擇性高、重復性好。
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“一步可控合成多種形貌Zn-Cd-S半導體納米復合材料的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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