本發明將重復單元(I)、(II)通過化學反應引入到苯并噁嗪結構中,結構(I)具有大體積側基,阻礙分子間的緊密堆砌,可降低材料的介電常數和介電損耗,結構(II)的引入可以提高樹脂的耐熱性,并且可彌補只引入大體積側基引起的力學性能的降低。因此本發明制備的低介電損耗苯并噁嗪中間體可以單獨使用或與其他苯并噁嗪中間體、酚醛樹脂等樹脂混合使用,制備的樹脂體系也具有低介電性的效果,適用于高性能復合材料用樹脂、電子絕緣材料、電子封裝材料等。
聲明:
“低介電苯并噁嗪及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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