本發明涉及一種二次電池及電子設備。提供一種二次電池,該二次電池為在提高充電深度時的dQ/dVvsV曲線中在4.55V附近具有較寬峰的正極活性物質的二次電池?;蛘?,提供一種二次電池,該二次電池使用如下正極活性物質:在充電電壓為4.6V以上且4.8V以下,充電深度為0.8以上且低于0.9的情況下也不成為H1?3型結構,可以保持CoO2層的偏離被抑制的晶體結構。在dQ/dVvsV曲線中4.55V附近的峰較寬意味著在其附近的抽出鋰所需的能量變化少且晶體結構的變化少。因此,可以得到CoO2層的偏離及體積的變化影響較少且即使充電深度較高也較穩定的正極活性物質。
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