本發明公開了一種LED芯片光刻顯影方法,包括:對LED芯片做表面清洗;采用等離子增強化學氣相沉積方法,在LED芯片上制備一層二氧化硅薄膜;在制備的二氧化硅薄膜上均勻涂布一層厚度為3μm的光刻膠;通過曝光機和光罩對LED芯片做圖形曝光處理;使用顯影液對光刻膠做顯影處理,顯影時間為60秒,顯影溫度為20℃~40℃,顯影液包括一種強堿、一種弱堿和純水,強堿質量占比0.5%~5%,弱堿質量占比1%~10%,純水質量占比85%~98.5%,強堿為氫氧化鋰、氫氧化鈉、氫氧化鉀、氫氧化銣、氫氧化銫中任意一種,所述弱堿為氨水或者氫氧化鋁;刻蝕暴露的二氧化硅薄膜,將光罩上的圖形轉移到LED芯片表面。
聲明:
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