本發明涉及半導體釉技術領域,具體涉及高壓瓷絕緣半導體釉,半導體釉含有如下質量配比的組分:高鉀低鐵長石25~35份,坯泥8~14份,東勝土4~10份,鍛滑石1~4份,石英粉20~30份,碳酸鋇2~4份,氧化鐵紅12~18份,氧化鉻綠1~3份,二氧化鈦9~12份,鋰輝石1~2份。本發明半導體釉的結構穩定性高,表面細膩,表面有光澤,且降低共熔點,提高熔解效率;同時,采用東勝土和坯泥,提高半導體釉漿的上釉后的結合能力。
聲明:
“高壓瓷絕緣半導體釉” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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