本發明涉及光伏或半導體領域中的一種氮化硅的回收方法,特別是一種高純氮化硅的回收方法,回收得到的高純氮化硅可以再次應用于多晶硅生產用坩堝涂層的制備或其他領域;采用廢棄的石英坩堝表面的氮化硅涂層作為氮化硅原料,氮化硅原料含有二氧化硅、硅、金屬等雜質,其特征在于:將氮化硅原料經過化學溶液處理后得到高純氮化硅;氮化硅原料的純度以重量計含有氮化硅50%-99.98%,二氧化硅、硅、金屬等雜質0.02%-50%;不僅實現了高純氮化硅的回收,還解決了固體廢棄物的污染問題。
聲明:
“高純氮化硅的回收方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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