本發明公開了一種具有InAlN背勢壘層的重金屬離子檢測傳感器,屬于半導體、化學傳感技術領域。所述重金屬離子檢測傳感器,包括:襯底材料上依次形成的成核層、緩沖層、InAlN背勢壘層、溝道層、勢壘層、鈍化層以及源極、漏極和柵極;本發明引入InAlN背勢壘結構抬高了緩沖層勢壘,降低了器件的寄生效應、抑制緩沖層漏電流,從而提高了傳感器檢測的可靠性;采用半胱氨酸溶液修飾柵極,半胱氨酸的羧基和氨基與重金屬離子結合成螯合物的能力較強,提高了提高傳感器的靈敏度;且半胱氨酸材料無毒害、自組裝修飾效果好,修飾時間較短,操作簡便,有效地改善檢測環境,降低了器件的生產成本。
聲明:
“具有InAlN背勢壘層的重金屬離子檢測傳感器” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)