本發明的主題是一種用于在沉積工藝期間測定化學氣相沉積反應器中的至少一個硅棒的表面溫度的方法,其中測量裝置A測定設置在硅棒上的測量區域中的表面溫度,并且測量裝置B連續地或不連續地確定所述硅棒的至少一個直徑和/或布置在反應器中的至少一個其它硅棒的至少一個直徑,測量區域的大小和/或位置根據所確定的一個或多個直徑進行適配。本發明的另一主題是一種用于測定表面溫度的設備以及包括該設備的反應器。
聲明:
“測定表面溫度的方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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