本發明公開了一種一維排列雙面錯嵌式三維探測器及其制備方法、陣列,包括第一溝槽電極和第二溝槽電極,第一溝槽電極刻蝕和第二溝槽電極分別刻蝕在第三半導體基體表面;第一溝槽電極內嵌有第一中央電極,第一中央電極和第一溝槽電極間填充有第一半導體基體;第二溝槽電極內嵌有第二中央電極,第二溝槽電極和第二中央電極間填充有第二半導體基體;第一溝槽電極和第二溝槽電極的外寬均為2RX,第二溝槽電極位于第一溝槽電極下方,且兩者垂直相距d3、水平相距Rx。通過吸雜氧化工藝在芯片表面生成二氧化硅層,然后經標記與光刻將探測器圖形轉移到二氧化硅層上,再進行陰極電極和陽極電極的刻蝕和化學沉積擴散,最后進行損傷修復及封裝。
聲明:
“一維排列雙面錯嵌式三維探測器及其制備方法、陣列” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)