本發明公開了一種三七栽培基質重復利用的物理方法,包括如下步驟:a.將基質進行第一次浸泡,所述基質為土質基質時,浸泡的時間為9~10個月,所述的基質為無土基質時浸泡的時間為70~80天;b.第一次浸泡完成后,將基質干燥然后進行高溫紫外殺菌,高溫紫外殺菌的時間為4~6小時;c.高溫紫外殺菌完成后用加有礦物元素的水進行第二次浸泡,所述基質為土質基質時,浸泡的時間為2~3個月,所述的基質為無土基質時浸泡的時間為15~20天;d.第二次浸泡完成后,將基質放在震動的篩網上進行過篩。本發明的目的在于提供一種三七基質重復利用的物理方法,解決現有技術中三七種植有連作障礙,基質不能重復使用,成本高的問題。
聲明:
“三七栽培基質重復利用的物理方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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