本發明公開了高光學純度阿法替尼晶型的制備方法,工藝過程簡潔,采用4?羥基?6?氨基?7?[(S)?(四氫呋喃?3?基)氧基]喹唑啉和4?(N,N?二甲基氨基)?2?丁烯酰氯為起始原料制備高光學純度阿法替尼,經濟環保,質量可控,制備過程中的中間產物均不需要柱層析,制備過程不產生難以去除的雜質,制得的高光學純度阿法替尼化學純度經高效液相檢測達到99.4%以上,最后通過毛細管法得到的高光學純度阿法替尼晶型,大大提高了高光學純度阿法替尼晶型產品的質量。 1
聲明:
“高光學純度阿法替尼晶型的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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