該發明涉及一種晶圓減薄機臺及晶圓減薄方法,其中所述晶圓減薄機臺包括:量測單元,用于量測晶圓的減薄程度以及量測晶圓表面的裂紋及變形;研磨單元,連接至所述量測單元,用于根據所述量測單元的量測結果研磨晶圓;CMP單元,連接至所述量測單元,用于根據所述量測單元的量測結果對晶圓進行化學機械研磨;裂紋及變形去除單元,連接至所述量測單元,用于根據所述量測單元的量測結果去除化學機械研磨后的晶圓表面的裂紋及變形。
聲明:
“晶圓減薄機臺及晶圓減薄方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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