一種同時改善STI和FG?Poly填充空洞工藝窗口的方法,首先涉及一閃存器件,然后采用有源區光刻工藝EM的方式,按由左向右的順序定義出從小到大的有源區尺寸,調整隔離淺槽開口形貌和氮化硅阻擋厚度,并將調整后的結果與有源區尺寸進行組合,將組合的晶圓進行浮柵的平坦化工藝,然后對組合的晶圓表面進行濕法刻蝕,用掃描電鏡觀測和調試尋找最適合的STI和FG填充空洞工藝窗口。在平坦化工藝中采用化學機械研磨工藝,隔離淺槽的開口外貌呈錐形,通過調整隔離淺槽的開口形貌來調整STI填充空洞,通過調整氮化硅厚度來調整FG?Poly填充空洞。
聲明:
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