一種檢測掩膜版設計規則的方法,涉及半導體工藝制程領域,包括如下步驟:步驟1,采用自行設計特定的掩膜版,通過光刻區域的光刻膠涂布顯影機和曝光機實現掩膜版上圖形轉移,用檢測機臺確定不同尺度的圖形坍塌缺失在不同厚度下和不同顯影槽清洗轉速下的工藝窗口;步驟2,確定如光刻膠類型,厚度,顯影噴嘴類型,去離子水清洗最高轉速之間的最佳工藝窗口;步驟3,綜合考慮光刻膠類型,厚度,顯影噴嘴類型,去離子水清洗最高轉速等因素,確定保持盡可能大的工藝窗口的掩膜版設計,調整現有的工藝參數至最佳。本發明可以改善圖形轉移失效的情況,提高了效率,節省了人力和物力。
聲明:
“檢測掩膜版設計規則的方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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