本發明涉及一種接合墊結構。集成電路晶片的接合墊結構中,有一應力緩沖層介于接合墊層與最上層內連線層的金屬層之間,以避免晶圓的探針測試與封裝撞擊對接合墊所造成的破壞。該應力緩沖層為一導電材料,其楊氏模數、硬度、強度或堅韌度大于最上層內連線層的金屬層或該接合墊層的楊氏模數、硬度、強度或堅韌度。為改善粘合與接合的強度,可將應力緩沖層的底部修改為各種不同形式,如嵌于保護層的環狀、網狀或連鎖柵格結構,在應力緩沖層中可以有多個孔洞,其由接合墊層將之填滿。本發明所述接合墊結構,提供較佳的機械完整性??杀苊鈶υ斐傻氖c接墊剝離的問題,而大大增加接合的可靠度。
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