本發明提供一種溝槽式MOSFET的制造方法,通過在形成溝槽后去除抗反射涂層之前,先在所述溝槽的側壁和底部上形成一層氧化硅保護層,然后再使用加熱至一定溫度的磷酸來腐蝕去除抗反射涂層,可以避免所述磷酸對所述溝槽側壁和底部造成損傷;在去除抗反射涂層后,去除所述氧化硅保護層,而后在所述溝槽內形成的柵氧化層具有較高的質量,在測試或使用的過程中不會出現破損而形成柵極與源極的泄露通道,進而使得整個溝槽式MOSFET器件失效的問題。
聲明:
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