1.本發明屬于硫酸加工領域，具體涉及一種高效制備超凈高純硫酸的方法。
背景技術：
2.隨著半導體材料的迅速發展，對超凈高純試劑的品質和需求也不斷上升，在集成電路的生產過程中，超純試劑可以清洗和刻蝕芯片及硅圓片的表面，并且揮發后不會殘留金屬、水、有機及機械雜質，超純硫酸已經被廣泛地應用到半導體材料、集成電路的生產工藝中，其加工尺寸逐漸進入亞微米、深亞微米時代，對半導體材料的成品率、電性能及可靠性具有十分重大的影響，各項指標要求達到國際半導體設備和材料組織制定的semi c12標準，即主體含量大于99.80％，水含量低于50ppm，陽離子含量低于0.1ppb，陰離子含量低于50ppm。
3.超純硫酸又稱高純硫酸、電子級硫酸，屬于超凈高純試劑，是半導體行業常用的八大超純化學材料之一，也是微電子技術發展過程中不可缺少的關鍵基礎化學試劑之一。超純硫酸的消耗量位居ic行業第一，廣泛應用于半導體、超大規模集成電路的裝配和加工過程，主要用于硅晶片的擴散、腐蝕、清洗等工藝，可有效除去晶片上的雜質顆粒、無機殘留物和碳沉積物。電子級硫酸的純度和潔凈度對電子元件的成品率、電性能及可靠性有著重要的影響。隨著ic的加工尺寸邁入納米時代，從28nm到目前正在攻克的14nm工藝，對與之配套的超凈高純硫酸提出了非常高的要求，要求顆粒和雜質含量降低1～3個數量級，達到國際半導體設備和材料組織制定的semi c12標準，其中金屬陽離子含量小0.1ppb，顆粒大小控制在0.5μm以下。
4.目前，超高純硫酸通常以工業級硫酸作為原料精餾過濾精制而成。由于硫酸沸點高(338℃)存在著能耗高、反應器材質要求高等問題。但用于微電子行業的超高純硫酸對其中金屬雜質含量、陰離子含量的要求已達ppb限量，甚至已達ppt限量，對產品中塵埃顆粒的限量也有明確的要求，現有的生產工藝已經無法滿足要求。組合膜法制備超高純硫酸的方法，通過微孔膜吸收、兩級微孔膜濾芯過濾、超濾膜過濾器精濾的組合處理，去除制備的硫酸溶液中的有色物質、懸浮顆粒、金屬離子、陰離子等雜質，獲得了符合smeic12標準的超高純硫酸產品。
5.現有技術中，超純硫酸的制備方法主要由精餾法和氣體吸收法。其中，精餾法能耗大，成本高，有些雜質難以除去，產生的廢氣、酸霧對人體有害，不利于環境保護，只適合于小規模生產。而氣體吸收法是提純三氧化硫氣體，然后再用超純水或
聲明：
“高效制備超凈高純硫酸的方法與流程” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業用途，請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)
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編輯：中冶有色網
來源：季華實驗室
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2025年07月23日 ~ 26日 
