氧化硅涂覆的聚合物膜以及用于生產其的低壓pecvd方法
技術領域
1.本發明涉及無應力透明氧化硅涂覆的聚合物基材。本發明進一步涉及一種用于在聚合物基材上、特別是在薄聚合物膜上、更特別是在基于聚對苯二甲酸乙二醇酯(pet)的薄聚合物膜上沉積基于無應力透明氧化硅的層的方法，以及一種用于促進層壓材料與聚合物基材的粘附性的方法。特別地，該方法適合用于連續的涂覆工藝。
背景技術：
2.基于氧化硅的層可以用于不同目的的聚合物基材上。它們可以用作水蒸氣或氣體的阻隔層。它們還可以是用于改變聚合物膜的光學或光能特性的更復雜的多層堆疊體的一部分，例如像抗反射層堆疊體、低發射率絕緣層堆疊體或陽光控制層堆疊體。它們還可以用于改善聚合物基材與其他基材或粘合劑或與其他涂覆層的粘附性。
3.為了生產基于氧化硅的層，可以使用所謂的pecvd方法(等離子體增強化學氣相沉積)。對于各種層材料，當涂覆許多不同的基材時，可以使用這些方法。聚合物基材經常遇到的問題是基材溫度的升高和等離子體反應物質對聚合物基材表面的蝕刻。例如，已知用微波激發和/或射頻等離子體增強pecvd在13μm的pet基材上沉積厚度為20至30nm的sio2層和si3n4層。雖然獲得了令人關注的阻隔特性，但厚度為200nm的涂層在低于10nm m min-1
的動態沉積速率非常低。[a.s.da silva sobrinho等人,j.vac.sci.technol.a[真空科學與技術雜志a]16(6),1998年11月/12月,第3190-3198頁]。
[0004]
當通過pecvd在pet基材上沉積用于透明阻擋層的氧化硅時，可以實現氧氣阻隔和水蒸氣阻隔特性[r.j.nelson和h.chatham,society of vacuum coaters[真空鍍膜協會],34th annual technical conference proceedings[第34屆年度技術會議論文集](1991)第113-117頁以及m.izu,b.dotter,s.r.ovshinsky,society of vacuum coaters[真空鍍膜協會],36th annual technical conference proceedings[第36屆年度技術會議論文集](1993)第333-340頁]。
[0005]
已知pec
聲明：
“氧化硅涂覆的聚合物膜以及用于生產其的低壓PECVD方法與流程” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業用途，請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)
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編輯：中冶有色網
來源：旭硝子歐洲玻璃公司
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2025年07月23日 ~ 26日 
