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1200℃-PECVD管式爐系統(等離子增強化學氣相沉積系統)由管式爐、真空獲得、流量控制和射頻電源四大模塊組成, 本設備借助13.56Mhz的射頻輸出使含有薄膜組成原子的氣體電離,在真空腔體內形成等離子體,利用等離子的強化學活性,改善反應條件,使含有薄膜組成的氣態物質發生化學反應,從而實現薄膜材料生長的一種新的制備技術,最終得到基片上沉積出所期望的薄膜。
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