立式化學氣相沉積爐(SiC、BN)
立式化學氣相沉積爐(SiC、BN)是專為冶金及材料科學領域設計的高端設備,廣泛應用于外延片基座、晶體爐高溫耐材、熱彎模具、半導體坩堝、陶瓷基
復合材料等的表面涂層、基體改性及復合材料制備。設備采用先進的控制技術,能夠精密調控MTS流量和壓力,確保爐膛內沉積氣流穩定,壓力波動極小。其全密閉沉積室密封效果好,抗污染能力強,多通道工藝氣路設計實現流場均勻,無沉積死角,沉積效果優異。此外,設備配備多級高效尾氣處理系統,能有效處理高腐蝕性尾氣、易燃易爆氣體、固體粉塵及低熔點粘性產物,環境友好且安全可靠。最高溫度可達1500℃,溫控精度為±5℃,適配真空、CH?、H?、N?、Ar、BCI?、NH?、MTS等多種工藝氣氛,滿足復雜的冶金及材料制備需求。
核心參數
非金屬電熱元件:其他
金屬電熱元件:其他
燒結氣氛:真空
溫控精度:±5
最高溫度:1500
額定溫度:1500
產品描述:
立式化學氣相沉積爐(SiC、BN)可用于材料的表面涂層、基體改性、復合材料制備等
應用范圍:
外延片基座、晶體爐高溫耐材、熱彎模具、半導體坩堝、陶瓷基復合材料等
技術特征
采用先進的控制技術,能精密控制MTS的流量和壓力,爐膛內沉積氣流穩定,壓力波動范圍??;
全密閉沉積室,密封效果好,抗污染能力強;
多通道工藝氣路,流場均勻,無沉積死角,沉積效果好;
多級高效尾氣處理系統,能有效處理高腐蝕性尾氣、易燃易爆氣體、固體粉塵及低熔點粘性產物,環境友好;
可選配新設計的防腐蝕真空機組,持續工作時間長,維修率極低;
使用工藝氣氛:真空/CH4/H2/N2/Ar/BCI3/NH3/MTS。
產品規格
配置選擇
結構形式:臥式-單開門/雙開門;立式-上出料/下出料
爐門鎖緊方式:手動/自動
爐殼材質:內層不銹鋼/全不銹鋼
加熱器、馬弗材質:石墨/CFC/金屬
熱電偶:K/N/C/S分度號