DE400P電子束蒸發鍍膜系統配備電子束蒸發源或熱阻蒸發源,用于沉積金屬或介質薄膜及lift-off工藝薄膜沉積。用于批量生產。
特點
可蒸鍍金屬、半導體、介質材料及磁性材料
制備LIFT-OFF工藝薄膜
薄膜蒸鍍在光柵頂部與底部,側面無薄膜沉積
不銹鋼腔體
可選RF等離子體或離子源基片清洗
可選基片氧化
整套系統通過工控機和PLC實現全自動控制
主要配置
鍍膜腔體:不銹鋼腔體
真空閥:高真空插板閥
真空測量:寬量程真空計
鍍膜源:多坩堝電子槍、高壓電源和束斑掃描器
基片臺:裝片能力如下描述
薄膜監控:晶振膜厚/速率監控
鍍膜室主要技術指標
極限真空壓力:<5E-8Torr
大氣抽至5E-7Torr時間:<40分鐘
基片尺寸:可選:2英寸、4英寸、6英寸、8英寸、12英寸
片內膜厚均勻性:≤+/-3%
片間膜厚重復性:≤+/-2%
裝片能力