HT-TL-CGF是一款采用4電弧的提拉法單晶生長爐(采用Ar氣電弧對樣品熔融,提拉裝置提拉),其溫度可達3000℃。腔體為304不銹鋼腔體(帶有水冷夾層),真空度可達10-5Torr。此款單晶爐特備適合生長高熔點的單晶,如Ti單晶,YSZ,SIC和CeRh2Si等等。
技術參數:
腔體:
采用304不銹鋼腔體,帶有水冷夾層,可通入冷卻水
腔體上安裝有石英窗口,以便觀察樣品
腔體真空度:10-5Torr(采用分子泵)
腔體尺寸:?257*360mm;
電弧槍:
共有4個電弧槍,可讓樣品得到均勻的溫場(電弧槍都帶有冷卻水)
鎢電極直徑?4mm
電弧腔體對樣品的角度和距離可手動調節
起弧電源:17V/185A 電壓380V
熔煉溫度可達3000℃
樣品臺:
可投入樣品量為60g(按鐵計算)
提拉機構:
控制器控制提拉機構的提拉速度,行程和轉速
提拉速度:0.2-10mm/h
提拉行程:0-70mm
轉速:0-40RPM
控制單元:
可顯示和設置單晶生長的參數(起弧電流,提拉桿轉速,提拉行程和轉速)
設備中配有一分子泵系統(機械泵+渦旋分子泵)
抽氣速率:100L/S
可使設備腔體的真空度達到10-5Torr(40分鐘內)
循環水冷機:
功率:800W
水流速度:58L/min
制冷能力:5004W(17500Btu/hour)
溫度控制:5~30℃
設備尺寸:
800mm*800mm*1500mm(L*W*H)
多晶材料在一個旋轉的、冷卻的銅爐中被四個電弧熔化。將一根冷凍的鎢拉桿浸入熱熔液中。在旋轉過程中,拉桿緩慢抬起,使晶體生長。為了防止熔體和晶體氧化,整個過程在無氧和無濕的氣氛中進行??捎糜谏L各種單晶體,包括硅、藍寶石、氮化硅、
碳化硅等,它可以生長高純度、高質量和大尺寸的單晶體。