納米級離子注入系統
Q-One型納米級離子注入系統是一種先進的半導體制造設備,專為量子器件和先進材料工程設計。它能夠以納米級精度實現單離子的精確定位和注入,具備20納米的聚焦離子束和1納米的光學編碼器壓電驅動級,確保極高的離子放置精度。Q-One支持多種元素的注入,包括液態金屬離子源和雙等離子體源,可實現氧和氮的摻雜。其高分辨率電子柱提供4nm的詳細成像,用于現場驗證和過程控制。該系統不僅速度快、可擴展性強,還能在短時間內生成數百萬個精確定位的原子陣列,廣泛應用于單離子注入、量子器件制造、
納米材料工程、光子系統和存儲設備等領域。
Q-One型, 先進的納米級離子注入平臺
Q-One是一種具有納米級精度的確定性單離子注入的最新工具。這是一種全新的設計,功能強大的FIB,能夠以驚人的精度和前所未有的速度定位單個離子。
Q-One具有許多強大的功能,是制造量子器件和先進材料工程的最先進系統。
快速、可擴展的設備制造
Q-One比SPM(掃描探針顯微鏡)技術快許多數量級,它可以在短短幾秒鐘內產生數百萬個精確定位的原子陣列。
納米精度
Q-One具有20納米聚焦離子束和1納米光學編碼器的壓電驅動級,提供了最終的精確離子放置。
植入多種元素
液態金屬離子源和質量過濾柱可選擇和植入40多種不同元素。雙等離子體源也可用于氧和氮摻雜。
雙離子束
高分辨率電子柱可提供高達4nm的詳細成像,用于現場驗證和過程控制。
應用
單離子注入
量子器件制造與研究
納米材料工程
光子系統
存儲設備
成功案例
單離子多物種低能定位項目
作為單離子多物種低能定位項目的一部分, 2018年在英國 Surrey Ion Beam Centre安裝了第一批兩臺同類儀器。
PLATFORM FOR NANOSCALE ADVANCED MATERIALS ENGINEERING
Q-One系統成為英國Henry Royce研究所,納米先進材料工程新平臺的核心。