定制流化床CVD系統，由真空立式管式爐、供氣系統、真空系統、真空測量系統組成。該系統以硅碳棒為加熱元件，采用雙層殼體結構和30段程序控溫儀表，移相觸發、可控硅控制，爐膛采用氧化鋁多晶纖維材料，爐管兩端用不銹鋼法蘭密封，不銹鋼法蘭上安裝有氣嘴、閥門和壓力表，真空泵接口，具有溫場均衡、表面溫度低、升降溫度速率快、節能等優點。該立式CVD管式爐廣泛應用于半導體工業中沉積薄膜材料，包括大范圍的絕緣材料，以及大多數金屬材料和金屬合金材料、二維材料等

該系統是一個特殊的雙管CVD系統,是專門為在金屬箔上生長薄膜而設計,特別是應用在新一代能源關于柔性金屬箔電極方面的研究。爐底部裝有滑軌，可通過滑動爐子可以實現物料的快速加熱和冷卻。該cvd高溫爐廣泛應用于半導體工業中沉積薄膜材料，包括大范圍的絕緣材料，以及大多數金屬材料和金屬合金材料、二維材料等，如碳化硅鍍膜、陶瓷基片導電率測試、ZnO納米結構的可控生長、陶瓷電容(MLCC)氣氛燒結等實驗。

KJ-T1200-S60K-4C型四路高溫真空CVD設備由KJ-T1200滑動式快速退火管式爐+真空系統+供氣系統組成 ，最高溫度可以達到1200度，極限真空可以達到10-3Pa，供氣系統是流量調節可以是質子流量計，可以對多種氣體進行準確的混氣，然后導入到管式爐內部?？焖偻嘶馉t爐管兩端安裝真空法蘭，真空度用分子泵可以到10-5Torr，機械泵可到10-3Torr。爐底安裝一對滑軌，可用手動滑動。加為取得最快加熱，可以預先加熱爐子到設定的溫度，然后移動爐子到樣品位置。為獲得最快冷卻，可在樣品加熱后移動爐子到另一端，是低成本快速熱處理的理想爐子。

該設備由蒸發器、混合器和反應器組成。采用氧化鋁纖維耐火材料。設備技術成熟、質量可靠，溫場均勻，結構合理，30段可編程溫控系統，氣路選用液晶屏觸摸界面，使得操作異常簡單、方便設置各項技術參數。該CVD高溫爐廣泛應用于半導體工業中，包括大范圍的絕緣材料，以及大多數金屬材料和金屬合金材料等的鍍膜，該CVD鍍膜設備可在目標材料表面形成密集的HfCl4涂層.適用于各大高校材料實驗室、科研院所、環?？茖W等領域。

KJ-T1200 CVD是一種管式爐，配備100mm直徑石英管、真空泵和五通道質量流量計氣體流動系統。 它可以混合1-5種氣體用于CVD或擴散。該CVD高溫管式爐主要用于大學，科研機構和生產企業進行氣相沉積相關的實驗與生產。

KJ-T1200 PECVD 是一種 PECVD(等離子體增強化學氣相沉積)的管式爐系統，它由 500W 射頻電源、帶有 200毫米直徑石英管的可拆分管式爐、真空泵和三通道質量流量計氣體流動系統組成。它可以混合 1-3 種氣體用于 CVD 或擴散。

KJ-CVD 是一種分體式管式爐，配備 60mm 直徑的石英管、真空泵和四通道質量流量計氣體流動系統。 可混合1-6種氣體進行CVD?？頒VD生長系統適用于CVD工藝，如碳化硅鍍膜、陶瓷基片導電率測試、ZnO納米結構的可控生長、陶瓷電容(MLCC)氣氛燒結等實驗。

PECVD系統是借助微波或射頻等使含有薄膜組成原子的氣體電離，在局部形成等離子體，而等離子體化學活性很強，很容易發生反應，在基片上沉積出所期望的薄膜, 該系統廣泛應用于沉積SiO2薄膜、Si3N4薄膜、金剛石薄膜、硬質薄膜、光學薄膜和炭納米管(CNT)、石墨烯材料等。

該設備是一款帶有預熱系統的滑動PECVD系統。該系統包含等離子射頻電源，預熱爐，滑動式管式爐，4通道質量流量供氣系統和旋片泵組成。 PECVD系統是借助射頻使含有薄膜組成原子的氣體電離，在局部形成等離子體，而等離子體化學活性很強，很容易發生反應，在基片上沉積出所期望的薄膜，可用于生長納米或CVD方法來制作各種薄膜。

科佳高真空PECVD設備由管式爐、真空系統、氣體供應系統、射頻電源系統等組成。通過射頻電源將石英真空室中的氣體改變為離子狀態，等離子體化學活性很強，很容易發生反應，在基片上沉積出所期望的薄膜。該系統主要用于金屬薄膜、陶瓷薄膜、復合薄膜、石墨烯等的生長。

此款CVD系統工作溫度為300℃至1200℃，配備真空泵，氣體混合裝置。采用了溫度控制系統，高溫精度，出色的氣體流量精度，易于操作，有非常好的隔熱效果和溫度均勻性。 主要用于大學，研究中心和生產企業進行氣相沉積相關的實驗與生產。此款CVD高溫管式爐適用于CVD工藝，如碳化硅鍍膜、陶瓷基片導電率測試、ZnO納米結構的可控生長、陶瓷電容(MLCC)氣氛燒結等實驗。

該立式雙溫區CVD系統主要由：1200度雙溫區管式爐、3通道質量流量計供氣系統、2L/S抽速真空泵及相關連接件組成;設備下方加裝定向輪和萬向輪，設備整體占地尺寸小并可靈活移動。該設備適用于CVD工藝，主要用于大學，研究中心和生產企業進行氣相沉積相關的實驗與生產。

這款立式流化床CVD系統，專門針對粉末表面沉積的CVD實驗。

科佳公司研制開發了碳納米管、納米線連續生長專用設備，該設備由氣流控制系統、注液系統、多級溫控多區生長系統、水冷系統、碳納米管等組成。碳納米管生長爐最高工作溫度為1400℃，可在0-1400℃之間連續調節，熱場垂直分布，兩點控溫。設備頂部設有注液口和導流件。這種碳納米管/薄膜CVD設備可以實現連續和不間斷生長。

KJ-T1200-S60LC-H2石墨烯制備機是由KJ-T1200開啟式滑軌管式爐、真空系統、質量流量計氣路系統、等離子電源系統組成?？蛇m用于石墨烯生長等。

適用于CVD工藝，如碳化硅鍍膜、陶瓷基片導電率測試、二維材料生長、ZnO納米結構的可控生長、陶瓷電容（MLCC）氣氛燒結等實驗。

包括大范圍的絕緣材料，以及大多數金屬材料和金屬合金材料、二維材料等，如碳化硅鍍膜、陶瓷基片導電率測試、ZnO納米結構的可控生長、陶瓷電容（MLCC）氣氛燒結等實驗。也可用于：真空燒結、真空氣氛保護燒結、納米材料制備、電池材料制備等多研究領域。

該系統廣泛應用于沉積高質量、SiO2薄膜、Si3N4薄膜、SiC薄膜、硬質薄膜、光學薄膜和炭納米管（CNT）、石墨烯材料等。

KJ-T1200CVD是一種管式爐，配備60mm直徑的高純石英爐管、真空泵和四通道質量流量計+一個浮子流量計氣體流動系統。它可以混合1-4種氣體用于CVD或擴散。

六通道高真空PECVD系統是一款由1200度管式爐，等離子射頻電源，分子泵高真空，六通道氣路等組成的等離子化學氣相沉積系統，加熱腔體采用氧化鋁纖維制品，其極低的熱導率和比熱容，保證了爐膛的快速升溫和低蓄熱，特別適合于科研單位的材料工藝研究。該等離子化學沉積系統廣泛應用于沉積高質量、SiO2薄膜、Si3N4薄膜、SiC薄膜、硬質薄膜、光學薄膜和炭納米管(CNT)、石墨烯材料等。也可可應用于納米材料生長，石墨烯生成、金屬薄膜，陶瓷薄膜等，復合薄膜等各種薄膜等，可制備出高質量的透明導電膜,用作手機觸摸屏