權利要求書： 1.一種光電子能譜儀，其特征在于，包括：分析腔體(1)，所述分析腔體(1)采用頂部可開口的柱狀結構；在分析腔體(1)上自下往上依次設定抽真空高度H3、分析高度H2、傳樣高度H1；抽真空組件，所述抽真空組件設置在分析腔體(1)的抽真空高度H3附近；電子能量分析器(13)，所述電子能量分析器(13)設置在分析腔體(1)的分析高度H2附近；激發光源(12)，所述激發光源(12)設置在分析腔體(1)的分析高度H2附近；樣品臺(5)，所述樣品臺(5)延伸至分析腔體(1)內，且在H1、H2之間移動；至少一個與分析腔體(1)連接的真空腔體。2.根據權利要求1所述的一種光電子能譜儀，其特征在于，與分析腔體(1)連接的所述真空腔體為傳樣腔(21)，所述傳樣腔(21)設置在分析腔體(1)的傳樣高度H1附近；所述傳樣腔(21)和分析腔體(1)之間設置第一插板閥(22)，在傳樣腔(21)內沿傳樣腔(21)的軸向設置第一磁力桿(23)。3.根據權利要求2所述的一種光電子能譜儀，其特征在于，垂直于傳樣腔(21)設置進樣腔(31)，進樣腔(31)和傳樣腔(21)之間相互連通，但是在進樣腔(31)上設置第二插板閥(32)，在進樣腔(31)內沿軸向設置第二磁力桿(33)。4.根據權利要求1所述的一種光電子能譜儀，其特征在于，在分析腔體(1)內設置μ金屬屏蔽層(3)，所述μ金屬屏蔽層(3)也采用柱狀結構；μ金屬屏蔽層(3)的上部為開口結構且可拆卸安裝μ金屬上蓋(3a)。5.根據權利要求4所述的一種光電子能譜儀，其特征在于，所述μ金屬屏蔽層(3)采用單層或雙層的μ金屬結構。6.根據權利要求4所述的一種光電子能譜儀，其特征在于，在μ金屬屏蔽層(3)內部設置低溫屏蔽罩(11)，且在分析腔體(1)外部設置低溫泵(10)。7.根據權利要求2或3中任意一項權利要求所述的一種光電子能譜儀，其特征在于，在所述傳樣腔(21)上設置加熱臺(25)。8.根據權利要求7所述的一種光電子能譜儀，其特征在于，在傳樣腔(21)上設置離子槍(24)。9.根據權利要求7所述的一種光電子能譜儀，其特征在于，所述樣品臺(5)采用4軸閉循環低溫樣品臺或者6軸開循環低溫樣品臺。 說明書： 一種光電子能譜儀技術領域[0001] 本實用
聲明：
“光電子能譜儀” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業用途，請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)
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編輯：中冶有色網
來源：長三角先進材料研究院
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2025年07月09日 ~ 11日 
