本發明公開了一種半導體制程中的設備監控方法,其中,包括如下步驟:步驟a、于半導體制程開始前制定一固定樣本數量的抽樣方案;步驟b、于工藝步驟開始前根據所述抽樣方案確定哪些晶圓需要被抽樣,哪些晶圓無需被抽樣,將需要被抽樣的晶圓平均的分配到每臺工藝設備;步驟c、執行工藝步驟;步驟d、以所述抽樣方案抽樣,根據所述抽樣的結果,對所述被抽樣的晶圓進行在線檢測;步驟e、重復步驟b至步驟d直至所有工藝步驟執行完畢;步驟f、對所有晶圓進行電氣性能檢測。本發明的有益效果是:通過抽樣方案和動態風險標志配合,使半導體制程中的潛在風險最小化。
聲明:
“一種半導體制程中的設備監控方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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