本發明涉及一種自組裝形成尺寸可控的硅納米晶薄膜的制備方法,主要步驟如下:首先,鍍膜前預處理后利用Ar離子對Si靶和C靶進行磁控共濺射,調整Si和C靶的濺射功率,在硅和玻璃基體上交替沉積多層結構的非晶硅/碳薄膜;然后,在氮氣氣氛中分階段退火,形成α-SiC/nc-Si多層結構薄膜。此類薄膜形成的硅納米晶尺寸在2-10nm范圍內可控,同時硅納米晶的密度亦可控,此尺寸范圍的硅納米晶的光學帶隙在2.7-1.8eV范圍內可控改變。本發明超晶格結構Si/C多層薄膜形成尺寸和密度可控的硅納米晶,進而調整其吸收光譜范圍,并顯著提高所用材料光電轉換效率。此類薄膜有望大幅提高硅基光伏器件的光吸收范圍和光電轉換效率。
聲明:
“一種自組裝形成尺寸可控的硅納米晶薄膜的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)