本發明涉及半導體低維結構薄膜的制備方法,特別是利用倒置多孔氧化鋁模板,轉印有序點陣技術,利用濺射技術制備有序高密度鍺納米點陣的制備方法。本發明采用經典兩步陽極氧化法制備多孔氧化鋁不通孔模板,然后利用濺射技術,在保持高真空環境的工作室中,以高純氬氣為工作氣體,工作室濺射壓強0.5Pa~2Pa,生長溫度600~800℃,濺射功率50W~100W條件下,在被移植到硅基底材料上生長厚度<50nm硅緩沖層完成有序結構的轉印,然后呈有序結構分布的硅緩沖層上生長鍺納米點陣。本發明具有生產成本低、可控性好、所制備鍺納米點陣具有密度高,有序性好等特點。
聲明:
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