本發明公開了一種光電化學反應中間體的陣列芯片質譜聯用分析方法。該方法利用二氧化鈦、石墨烯等具有半導體性質或光催化性能的無機材料修飾玻璃、聚酰亞胺等絕緣塑料形成光催化劑修飾的微陣列芯片。之后將用于光電化學反應的底物滴加在該芯片上,利用光照引起光電化學反應。反應若干時間后,利用靜電噴霧離子化質譜技術對該樣品點進行檢測,實現光電化學反應中間體分析。
聲明:
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