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    檢測SiGe材料在電化學沉積過程中帶隙變化的方法

    760   編輯:管理員   來源:中冶有色網  
    2023-03-19 06:36:27
    本發明提供一種檢測SiGe材料在電化學沉積過程中帶隙變化的方法,屬于SiGe電沉積制備方法領域。該方法利用原位光譜電化學技術,觀察沉積過程中SiGe材料吸收光譜的變化,分析沉積過程及SiGe帶隙變化;本發明利用離子液體電沉積技術與原位光譜電化學法的結合,使用無毒無污染的綠色離子液體[EMIm]Tf2N+GeCl4+SiCl4做為電解液,調控電化學沉積步驟及吸收光譜測量,原位表征SiGe在離子液體中的電沉積過程,本方法利用了半導體能夠強烈的吸收光能,通過吸收光譜的變化可以反映出電化學沉積過程進行的快慢、沉積過程中帶隙的變化。該檢測方法工藝簡單,操作方便,易于實現。
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