本發明涉及集成電路制造工藝和版圖設計技術領域,具體涉及一種化學機械研磨的缺陷檢測方法,該方法包括:提取CMP工藝前的材料結構信息;確定CMP相關工藝參數;建立符合CMP去除機理的CMP預測模型;進行CMP缺陷檢測版圖設計,確定CMP工藝缺陷產生條件。利用本發明可以在版圖設計階段最小化化學機械研磨工藝缺陷區域面積,從而減小冗余金屬填充數量,提高產品優良率。
聲明:
“化學機械研磨缺陷檢測方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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