本發明公開了一種磷化銦切割片化學拋光液和磷化銦切割片的位錯測定方法,屬于半導體晶體材料技術領域。拋光液由磷酸、氫溴酸和雙氧水組成。磷化銦切割片的位錯測定方法,包括以下步驟:(1)配制化學拋光液,化學拋光液由磷酸、氫溴酸和雙氧水組成;(2)將磷化銦切割片放入所述拋光液中進行化學拋光腐蝕,化學拋光腐蝕完畢后取出用水清洗干凈,干燥;(3)配制位錯腐蝕液:位錯腐蝕液由磷酸和氫溴酸組成;(4)將步驟(2)干燥后的切割片放入位錯腐蝕液中腐蝕,腐蝕完成后取出用水清洗,干燥,利用顯微鏡測定位錯密度。本發明可以快速測量晶體中的位錯密度,操作過程工藝簡單,經濟高效,不受晶體形狀的影響。
聲明:
“磷化銦切割片化學拋光液及磷化銦切割片的位錯測定方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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