本發明公開了一種使用X-射線特征譜對SiGe薄膜進行定量分析的方法,該方法包括使用CVD(化學氣相沉積)SiGe(鍺硅)標準多層漸變薄膜作為標準樣品,使用SIMS(二次離子質譜儀)測定其成分,并作為SiGe的X-射線特征譜(EDS)分析中的標準成分;以及由此獲得的能夠對SiGe工藝薄膜進行EDS定量分析的技術方法(包括由實驗獲得的,適用于SiGe工藝薄膜定量分析的Cliff-Lorimer因子,系數KSiGe)。本發明填補了SiGe薄膜項目和X-射線特征譜對材料定量分析的技術空白,其過程簡單、可操作性強,大大降低了生產費用,并提高效率。
聲明:
“使用X-射線特征譜對SiGe薄膜進行定量分析的方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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