本發明公開了一種為SiGe薄膜定量分析制作的標準樣品,該標準樣品是一個多層結構的SiGe薄膜淀積在Si襯底上;每一層的厚度范圍從100埃到2000埃,每一層SiGe薄膜的Ge和Si的原子百分比(at%)不同,其中Ge的范圍從0.1at%到99at%。此外,本發明還公開了該標準樣品的制備方法,此方法使用CVD技術將具有多層結構的SiGe薄膜淀積在Si襯底上,利用CVD設備中的氣相流量計控制進入反應過程中的GeH4和SiH4的化學成分比,并由此可以對每一層的SiGe薄膜粗略估計其Si,Ge的化學組成比;然后使用SIMS對每一層的SiGe的化學組成比進行精確測定。本發明可大大降低制作成本。
聲明:
“為SiGe薄膜定量分析制作的標準樣品及制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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