本發明公開了一種防止鎢栓塞腐蝕的半導體特性分析方法,屬于半導體技術領域。所述方法包括:在晶圓上截取待分析樣品,并調配預設濃度的研磨液;去除待分析樣品的鈍化層及金屬疊層至呈現第一金屬層;使用調配的預設濃度的研磨液配合拋光盤預定的轉速去除第一金屬層至呈現鎢栓塞層;對呈現鎢栓塞層的樣品進行特性分析。本發明中,通過調配預設濃度且安全環保的研磨液,并配合拋光盤一定的轉速來去除待分析樣品的第一金屬層,有效地抑制了鎢栓塞的電化學反應,進而確保了鎢栓塞的完好,使得在鎢栓塞層能夠進行完整的器件標定,避免了因為樣品的處理問題而造成特性分析的誤判。
聲明:
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