一種化學機械拋光方法,包括:將待拋光的晶片放置于化學機械拋光設備中,對晶片進行化學機械拋光,還包括通過清洗溶液對晶片進行清洗,實時測量清洗晶片后形成的處理溶液的開路電位,在處理溶液的開路電位達到開路電位閾值時,停止清洗。相應地,本發明還提供一種用于化學機械拋光的清洗裝置,包括清洗單元、取樣單元、實時測量單元、閾值測量單元和控制單元。本發明可以有效減少晶片表面的有機殘留物。
聲明:
“化學機械拋光的方法、用于化學機械拋光的清洗裝置” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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